전통적으로 사용하는 7660의 리플전압은 캐피시터의 ESD에 따라 변한다.
Ti의 LM2776은 2가지 모드를 가지고 있어서 40mA보다 적게 소모할 때에는 낮은 주파수로 스위칭 하면서 적은 전력을 소모한다. 하지만 리때 리플전압이 급격하게 증가한다. 온도에 따라서도 급격하게 변화할 수 있고 사용전류량의 변화에 따라서도 급격하게 변화할 수 있다. 주의해야한다.
이렇게 리플이 많이 발생하는 경우 캐피시터를 크게 단다고 해도 해결되는 한계가 있다.
해결을 위해서 뒤에 레귤레이팅을 더 해주는 옵션을 생각해볼 수 있지만 .레귤레이터 입력과 출력전압의 차이가 적을수록 노이즈 성분은 거의 그대로 통과할 가능성이 높다. 따라서 설계에 주의해야함.
LM27761은 LDO를 내장해서 리플을 줄인 베품이다. 대신 가격이 좀 더 비싸다. 그래도 외부LDO로는 구현하기 어려운 수준의 리플전압을 구현했다.
LM27762는 음전압 외 양전압도 LDO를 거쳐서 제공한다. 양전압이 필요하다면 사용을 고려해 볼 수도.
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LM7705
-0.232V 를 발생시키는 칩. 외 이런 애매한 전압이 필요한가?
GND라고 해도 회로가 GND까지 안내려가는 경우가 발생한다. op-amp가 0을 출력하지 못한다거나.
이런경우 GND보다 0.1V 정도만 낮아도 GND로 센싱하고 출력하는데 충분해진다.
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